�@：ウェンナー、エルトラン電極配置方法による各測定値から見掛比抵抗値を算出し、その見掛比抵抗値を基にそれぞれの電極配置方法による見掛比抵抗断面図を作成する。

各電極配置の見掛比抵抗値は以下の方法で算出する。

ウェンナー型電極配置： ρａ＝２πｎａＲ

エルトラン型電極配置： ρａ＝ｎ（ｎ＋１）（ｎ＋２）πａＲ

ここで、ｎは電極間隔、 ρａ：見掛比抵抗値（Ω−ｍ）、Ｒ：測定抵抗値（Ω）

であり、２πｎａ、及びｎ（ｎ＋１）（ｎ＋２）πａは電極配置係数（図４−３参照）と呼ばれている。

�A：両電極配列の見掛比抵抗値から二次元インバージョンにより地下の比抵抗分布を求めた。このインバージョンは、二次元有限要素法によるモデル計算により、地下比抵抗分布からそれぞれの電極配列に対する見掛比抵抗を計算するルーチンと、計算値と測定値とが一致するように構造（地下比抵抗分布）を修正するルーチンとを組み合わせたものである。これにより最終的な比抵抗断面図を作成する。